本所李尉彰老師實驗室研究團隊近期在微機電領域經典期刊IEEE JMEMS發表CMOS-MEMS共振開關(resoswitch)研究成果。本研究提出微機電共振開關非線性動態模型，可同時描述振動、接觸與電性導通行為，整合 Duffing及van der Pol 非線性、廣義 DMT 表面交互作用力，並納入熱切換下的接觸電阻分析。研究以CMOS-MEMS製程製作之梳齒驅動摺疊樑(comb-driven folded-beam)共振開關進行頻域與時域量測驗證，釐清接觸效應對輸出波形與開關性能之影響。此研究可為微機電共振開關及更廣義的振撞式(vibro-impact)微機電元件提供從設計到製作之開發導引。

此論文獲選為當期IEEE JMEMS Right Now Paper及封面文章。

期刊全文：
C.-P. Tsai and W.-C. Li, “CMOS-MEMS Resoswitches—Design, Modeling, and Characterization,” IEEE J. Microelectromech. Syst. (JMEMS), vol. 34, no. 6, pp. 730-743, Dec. 2025.
https://doi.org/10.1109/JMEMS.2025.3607167